| Nome prodotto | Modulo IGBT |
| Condizione | Originale |
| Numero modulo | 5SLD0600J650100 |
| Descrizione | In magazzino |
| Garanzia | 1 anno |
| VCES in V | 6500 V. |
| ICnom in UN | 1200 A. |
| Tecnologia |
Modulo a doppio diodo
J = HiPak1 HV, 44 mm, tensione di blocco 6,5 kV Diodo SPT robusto e a bassa perdita Diodo SPT a commutazione fluida per una buona compatibilità elettromagnetica Contenitore standard industriale Elevata densità di potenza Piastra base AlSiC per capacità di ciclo ad alta potenza |
| Alloggiamento | DOPPIO DIODO |
| Applicazione | Industriale |
Sichuan Hongjun Science and Technology Co., Ltd
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