| Tipo de transistor | NPN |
| La saturación de Vce (máx.) @ Ib, Ic | 200mV @ de 5 mA, 50mA |
| - Corte de corriente de colector (máx.). | ICBO nA (50) |
| Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ IC VCE | 80 @ 10mA, 5V |
| Frecuencia - Transición | 300 MHz. |
| La temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | A través del agujero |
| - Corriente de colector (IC) (máx.). | 600 mA |
| La tensión colector - Emisor Desglose (máx.). | 160 V |
| Alimentación: máx. | 625 mW |
| El número de producto de la base | 2N5551 |