| Descripción |
| Estos VDMOSFETs mejorada de canal N, se obtiene por la auto-alineados tecnología planar que reducen la pérdida de la conducción, mejorar el rendimiento de conmutación y mejorar la avalancha de energía. Lo que concuerda con la RoHS estándar. |
| El parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | ||
| 8N60/I8N60/E8N60/B8N60/D8N60 | F8N60 | ||||
| La máxima tensión DC Drian-Source | VDS. | 600 | V | ||
| La máxima tensión Gate-Drain | VGS | ±30 | V | ||
| Corriente de drenaje(continuo) | ID (T=25ºC) | 7.5 | Un | ||
| (T=100ºC) | 4.8 | Un | |||
| Vaciar de impulsos (actual) | IDM | 30 | Un | ||
| Solo pulso de energía Avalancha | EAS | 400 | MJ | ||
| Recuperación de diodo de pico de la dv/dt | Dv/dt | 5 | V/ns | ||
| Disipación total | Ta=25ºC | Ptot | 2 | 2 | W |
| TC=25ºC | Ptot | 100 | 35 | W | |
| Temperatura de unión | Tj | 150 | °C. | ||
| La temperatura de almacenamiento | Tstg | -55~150 | °C. | ||
| Características |
| El cambio rápido |
| La capacidad de mejora de la ESD |
| Poca resistencia(Rdson≤1.3Ω) |
| Carga de la Puerta Baja(Typ: 24nC) |
| Bajo la Transferencia Inversa Capacitances(Typ: 5.5pF) |
| 100% solo pulso avalancha de prueba de la energía |
| 100% prueba ΔVDS |
| Aplicaciones |
| Utilizado en diversos en el circuito de conmutación de potencia para el sistema de la miniaturización y mayor eficiencia. |
| Interruptor de alimentación del circuito de lastre de electrones y el adaptador. |
| Especificaciones de productos y modelos de embalaje | |||||
| El modelo del producto | El tipo de paquete | Nombre de marca | RoHS | Paquete | La cantidad |
| 8N60 | A-220C | 8N60 | Pb libres | El tubo | 1000/box |
| F8N60 | A-220F | F8N60 | Pb libres | El tubo | 1000/box |
| B8N60 | A-251 | B8N60 | Pb libres | El tubo | 3000/box |
| D8N60 | A-252 | D8N60 | Pb libres | Tape & Reel | 2500/box |
| I8N60 | A-262 | I8N60 | Pb libres | El tubo | 1000/box |
| E8N60 | A-263 | E8N60 | Pb libres | Tape & Reel | 800/box |