FF6MR12km1 Half-Bridge IGBT Coolsic 1200 V en utilisant moins de composants magnétiques pour UPS et de l'énergie solaire

62 mm  1200 V, 6 mΩ half-bridge module avec  MOSFET CoolSiC™ .

Nouvelle génération de M1H produit FF4MR12KM1H bientôt.

• Densité de courant élevée
• Faibles pertes de commutation
• L'oxyde de la porte supérieure de la fiabilité
• Plus de robustesse contre l'humidité
• Diode de corps intégrée robuste, et donc les conditions thermiques optimales
• Haut de la robustesse des rayons cosmiques
• Module de commutation haute vitesse avec de très faibles pertes
• Module de conception symétrique et le comportement de commutation de l'interrupteur supérieur et inférieur
• Technique de construction standard du module et donc connus fiable. La production dans les 62mm Ligne de production haut volume

Notre sélection de produits de l'IGBT fournit une large variété de différents périphériques. Ces produits répondent à un large éventail de demandes dans le domaine de   l'automobile ,   traction , la transmission d'énergie, des systèmes industriels et de consommation. Nos solutions offrent de très faibles pertes de puissance en marche avant et état de blocage, exigent seulement une faible puissance d'entraînement et ont une haute efficacité. Les IGBT peut résister aux tensions jusqu'à 6,5 kV et de fonctionner à une fréquence de commutation à partir de 2 kHz à 50 kHz.

Nous offrons un large portefeuille de puces IGBT assemblés dans des boîtiers en plastique discrète, appelés   les IGBT discrets , qui sont disponibles en   une seule IGBT   et co-emballés   avec diode de roue libre . Ce sont les périphériques appropriés pour des applications telles que   les inverseurs à usage général ,   convertisseurs solaires ,   UPS , le chauffage par induction ,   les principaux appareils électroménagers ,   soudage   et   SMPS . Avantages de l'IGBT discrets sont élevés et de densité de courant faible dissipation de puissance résultant en une plus grande efficacité et de dissipateur de chaleur plus petits pour permettre à abaisser le coût global du système.
De plus grandes des arrangements qui forme des blocs de construction de base de l'équipement électronique de puissance sont considérés comme des   modules de puissance   et de la diode de l'IGBT habituellement combinant meurt dans diverses topologies. Avec l'aide de composants à haute performance, ces modules de puissance peut faire face aux besoins des applications de puissance le plus élevé.  À partir de tout-en-un   des modules intégrés de puissance   avec redresseur, et du hacheur de freinage à une partie de l'onduleur, Infineon couvrent toute une gamme de produits à partir de seulement des centaines de Watts à plusieurs mégawatts.   Les lecteurs à usage général, servo-unités   et les applications de l'énergie renouvelable comme   les applications de convertisseurs solaires ou le vent   bénéficier de la performance exceptionnelle, l'efficacité et la longévité de ces produits extrêmement fiables.
L'   HybridPACK™ famille   comme un produit spécial série avec la qualification de l'automobile est disponible pour soutenir les efforts déployés par le designer dans   la mobilité électrique . Infineon appuie en outre l'industrie automobile, offrant une variété de   semiconducteurs de puissance IGBT discrets   qualifié conformément à AECQ101.
Pour faciliter la mise en place une expérience de laboratoire ou d'un premier prototype, Infineon aide en fournissant des   cartes d'évaluation   pour la plupart des produits d'accélérer les cycles de développement. Ainsi, des résultats concluants peuvent être générés dans les plus brefs délais.